束狀微胞於聚?吩與六甲基苯之亞共晶二元系中的成長

Abstract

本研究探討導電高分子聚(三-烷基?吩)(P3AT)在和六甲基苯(HMB)混摻後，導電高分子在HMB晶相基材上的磊晶成長行為。藉由瞭解側鏈長度、混摻比例、分子量以及石墨烯(Graphene)等因素對P3AT晶相析出的影響，來推論所牽涉的晶相成長機制。 以熱分析實驗探討混摻比例對熔點的影響，可觀察到隨著P3AT的側鏈的增長，二元相圖的共晶點隨之往P3AT一側移動。選擇的P3AT分子若有分子量較大與側鏈較長等不利結晶的因素，則在HMB晶相上有序相的成長會傾向形成Face-on的排列取向。若P3AT分子具有較短的側鏈與低分子量等有利結晶的因素，則傾向發展出沿著分子鏈方向延伸的長板狀區域，具有Edge-on的排列取向。對於這些晶相的成長結果，不論是排列取向或析出區域的形態，都可以束狀微胞模型(Fringed micelle model)來進行解釋。 降低P3AT在HMB中的比例後，可以發現P3ATs的Face-on排列取向具有臨界微胞濃度(critical micelle concentration CMC)的特性，僅在濃度達一定值後方能產生。由於束狀微胞模型中亦有CMC的概念，因此此實驗結果進一步證實了我們的推論。 若將石墨烯混摻入P3AT與HMB二元系，可以發現到P3ATs均無法形成Face-on的排列取向。因此這個研究上成?的藉由不同的因素來調控P3HT有序相的排列取向。

Date of Award	2014 Sept 11
Original language	Chinese
Supervisor	Jr-Jeng Ruan (Supervisor)