根據基因演算法之金屬氧化物半導體電容陣列產生器

Translated title of the thesis: MOS Capacitor Array Generator based on Genetic Algorithm
  • 蔡 榮陽

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

大部分類比電路的佈局仍透過人工進行置及繞線,工作相當繁瑣且耗費時間,因此電路實體自動化一直是大家希望解決的問題,希望藉由程式的協助快速考慮電路連線關係完成?置及繞線並整合於晶片,可減少工程師重新規劃電路?置及繞線的時間。電容是類比電路中常用的原件且廣泛的應用在電路上。IC中常用到的電容架構為MIM、MOS…等,MIM電容單位面積容值小精確度高,花費面積較大,可應用於類比轉數位或數位轉類比電路上;MOS電容單位面積容值大精確度與MIM架構相比較低,花費面積較小,可應用於震盪器及穩壓電路上。大部分的自動化方法著重在MIM電容陣列,較少的文獻是討論MOS電容陣列,在震盪器電路中,藉由使用MOS電容陣列調整容值並減少面積的消耗。我們採用基因演算法實作MOS電容陣列四個方向都有電容的對外接點,考慮繞線線長及是否有線段互相重疊而需轉換金屬層,進行內部單位電容的?置,並使用歷歷史基底迷宮繞線完成後續的繞線,因較少文獻探討此問題,我們使用貪婪演算法來進行?置,從實驗結果中顯示我們的演算法在有效的執行時間內,線長及金屬層的使用都比貪婪?置方法更加有效。
Date of Award2014 Aug 21
Original languageChinese
SupervisorJai-Ming Lin (Supervisor)

Cite this

根據基因演算法之金屬氧化物半導體電容陣列產生器
榮陽, 蔡. (Author). 2014 Aug 21

Student thesis: Master's Thesis