氫離子源輔助濺鍍多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體之研究

Translated title of the thesis: Research of Silicon-Rich Oxide/Silicon Oxide Multilayers Based Light Emitting Diode by Hydrogen Ion-Source Assisted Sputtering
  • 陳 紹平

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本研究利用氫離子源輔助濺鍍製作成多層富矽氧化物(Silicon-rich oxide SRO)/二氧化矽發光二極體，富矽氧化物的發光機制可分為奈米矽團簇和缺陷發光(E` center，NBOHC)兩大類。 藉由光致發光(Photoluminescence PL)、拉曼光譜(Raman)、X光光電子光譜(X-ray Photoelectron Spectrometer XPS)等分析來討論加入不同氫離子源電壓後其奈米矽團簇尺寸大小的變化。發現利用離子源的能量，能使矽原子聚合成奈米矽團簇並產生大量的矽氧發光缺陷，進而提升多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體電致發光效率。 氫離子源116V多層SRO/SiO2發光二極體，?率30W時，EL強度增強了15倍，發光效率提高了6倍之多。發光機制主要透過E` center和NBOHC 兩種發光缺陷進行輻射復合。 低溫量測多層SRO/SiO2發光二極體的過程中，隨著溫度下降，發光缺陷輻射復合率增加，載子捕獲截面積變小，無離子源濺鍍之元件EL強度達到最大值在250K；氫離子源電壓116V之元件EL強度達到最大值在123K。
Date of Award2014 Aug 16
Original languageChinese
SupervisorChuan-Feng Shih (Supervisor)

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