Abstract
利用分子束磊晶系統(MBE)於Si(111)基板上成長氮化銦鎵/氮化鎵奈米柱，並且在成長過程中，固定銦、鎵以及氮電漿流量，因為我們MBE加熱器的熱輻射會造成樣品加熱不均勻現象，透過溫差定義三個不一樣溫度的區域，且成長溫度不一樣，氮化銦鎵的合金比例也會跟著改變，並分別去量測其電子顯微鏡、光致發光光譜以及光壓電效應。並且從電子顯微鏡影像得到較高溫度的奈米柱成長品質較佳，且經過光致發光光譜的計算得知，成長溫度越低，銦原子比例含量越多，然後將氮化銦鎵奈米柱製作成奈米發電機去量測壓電效應，結果隨著銦含量的增加，壓電效應也隨之增加。並且比較氮化銦鎵奈米發電機在照光下與暗室的壓電效應差別，結果為照光下壓電電壓也會因為照光後而增大電壓。| Date of Award | 2016 Aug 31 |
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| Original language | Chinese |
| Supervisor | Chung-Lin Wu (Supervisor) |