由多道入射光束的相位調變達成動態操控表面電漿極化子的數值研究

Abstract

繞射極限限制了光學系統的解析能力以及光學裝置的大小，使其最小只能到波長尺寸，因此如何進入次波長尺寸的世界一直都是一個很重要的課題。而在兩種不同介質之界面處激發出的表面電漿極化子即為一把打開進入次波長尺寸大門的鑰匙，他具有波長比入射光波長還要小的特性，並且還擁有只會存在於界面附近的局域性以及高度增強的特性。表面電漿極化子可以被用來提升製作光學元件的精密度、光學顯微技術的解析度、縮小光鉗系統可捕捉的粒子大小、光儲存系統的容量以及縮小光邏輯閘元件的大小。 過去有很多設計結構來激發並控制表面電漿極化子分佈的研究。使用設計好的特殊複雜結構可以很好的控制表面電漿極化子分佈的情形，但是卻無法動態的去控制表面電漿極化子的分佈。本論文中不採用複雜的特殊結構，而是使用簡單的數條狹縫作為結構，並利用調變多道入射光束的相位來達成動態操控表面電漿極化子的分佈情形。利用一組雙狹縫結構搭配兩道光束可動態調控一維上兩個方向傳播強度比例不同的表面電漿極化子源。利用一組圍成方形的四狹縫結構搭配四道光束可動態調控二維干涉場型的分佈，並動態連續控制干涉場的亮暗點位置，亦可產生二維光渦流陣列表面電漿極化子。

Date of Award	2018 Jul 30
Original language	Chinese
Supervisor	Shu-Chun Chu (Supervisor)