Abstract
各國現今致力於發展電動車輛、智慧伺服系統、再生能源等技術，電源轉換扮演極為重要的角色，其中高?率密度、高效率和快速響應是推動電源轉換技術發展的關鍵指標。為了達到此目標，希望在開關上能夠以更高的切換頻率工作，卻可能帶來更高的切換損、導通損等問題。新興的寬能隙半導體?率元件與矽金氧半場效電晶體相比，具有更好的特性，被認為是解決以上問題的選項。本文旨探討疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體的參數分析與振鈴抑制，首先介紹寬能隙半導體材料的特性，並說明疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體帶來的挑戰，透過雙脈衝實驗和SIMetrix模型針對其寄生參數分析對開關的影響，進而提出各種抑制開關振鈴的方法和選用方式，並說明雙層板及四層板PCB（Printed Circuit Board）電路佈局和量測考量的重點。最後以疊接式氮化鎵高電子遷移率電晶體的雙脈衝實驗四層板電路驗證本文提出的方法對振鈴抑制之有效性。| Date of Award | 2018 Aug 20 |
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| Original language | Chinese |
| Supervisor | Le-Ren Chang-Chien (Supervisor) |