矽穿孔高頻電磁特性分析

Translated title of the thesis: Analysis of High Frequency Electromagnetic Characteristics of Through Silicon Via
  • 鄒 宸勛

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

隨著半導體元件特徵尺寸不斷接近物理極限,漏電流現象和熱問題愈加突出;且隨著封裝導線尺寸不斷縮小,傳統線路互連所衍生的信號延遲、雜訊和?耗問題愈加嚴重,因而需要發展三維積體技術來延續摩爾定律。作為三維積體電路的核心技術,矽穿孔(Through Silicon Via TSV)可實現信號在元件堆疊層間的電學連接,縮短連線長度,減小訊號延遲和?耗,縮小晶片佔用面積,實現高度積體化及結合異質晶片的構裝。 本研究分析矽穿孔在高頻信號傳輸情況下之電磁特性,其模型包含銅凸塊(Bump)與金屬線路重佈層(RDL)之組合。第一部分探討TSV堆疊、信號傳輸方式、基板材料、同軸TSV(C-TSV)等信號傳輸行為;第二部分則藉改變TSV中結構之幾何尺寸,包含TSV尺寸、TSV間距、絕緣層厚度、Bump尺寸、RDL尺寸等,研究矽穿孔高頻電磁特性以及各結構參數的影響。 就堆疊之TSV而言,單端信號反射損失為差分信號的2 25倍,矽基板反射損失為玻璃基板的4 18倍,TSV反射損失為C-TSV的1 83倍。
Date of Award2018 Jun 28
Original languageChinese
SupervisorJung-Hua Chou (Supervisor)

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矽穿孔高頻電磁特性分析
宸勛, 鄒. (Author). 2018 Jun 28

Student thesis: Master's Thesis