磁鄰近效應在拓樸絕緣體與磁性絕緣體CoFe2O4雙層結構之電性觀察與分析

Translated title of the thesis: Electric Properties Observation and Analysis on Proximity Effect through Topological Insulator and Magnetic Insulator CoFe2O4 Bilayer Structure
  • 陳 姿瑾

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本實驗主要是研究磁性絕緣層與拓撲絕緣體雙層結構的磁鄰近效應(Proximity effect)。首先,在實驗中會利用脈衝雷射沉積儀(PLD)與分子束磊晶系統(MBE)分別成長磁性絕緣層CoFe2O4和拓樸絕緣層Bi2Se3。實驗分成兩個部分,第一部分是藉由改Bi2Se3厚度的方式來降低Bulk載子濃度,在磁阻的量測結果觀察到weak antilocalization (WAL)被抑制的現象,且我們利用擬合HLN方程式得到?值與l_?值並觀察到明顯的變化,表示Bi2Se3層有受到磁性層的磁性散射影響。第二部分則是利用Sb原子的摻雜讓Bi2Se3可以有效的降低Bulk的載子濃度,在不同的Sb摻雜比例的磁阻分析,觀察到WAL被抑制的現象更加顯著。最後我們也透過量測不同外加磁場下,分析溫度與電導的斜率,可觀察到拓樸絕緣體表面態能隙隨著外加磁場變大而變大的趨勢。
Date of Award2016 Aug 22
Original languageChinese
SupervisorJung-Chun Huang (Supervisor)

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