磊晶鉍化碲的微結構與電性隨成長溫度之研究

Abstract

透過分子束磊晶系統在sapphire(0001)基板上成長鉍化碲拓樸絕緣體，並藉由X光繞射(XRD)看出鉍化碲具有強烈的C軸取向，由於樣品為易氧化材料，因此在?上硒/碲保護層上量測XRD與XPS，發現?上硒金屬後樣品原本的特性已經消失，進而產生較穩定的合金相。 樣品以ARPES量測證明薄膜確實為拓樸絕緣體，並且它的電子結構成長溫度調控。隨著溫度的上升至390oC，材料的費米能級從價帶往導帶靠近的趨勢，而過了390oC之後，其費米能級又往價帶靠近。之後我們以XAS實驗證明這費米能級的移動來自於反位缺陷的影響，在310oC至390oC為Bi-rich的情況，導致Bi原子取代Te原子，以至於材料以電洞傳輸為主，390oC之後則是Te-rich的情況，導致材料以電子傳輸為主。

Date of Award	2014 Sept 5
Original language	Chinese
Supervisor	Jung-Chun Huang (Supervisor)