磊晶鉍化碲的微結構與電性隨成長溫度之研究

Translated title of the thesis: Temperature dependent of the Microstructure and electric properties of epitaxial Bi2Te3 films
  • 陳 奕帆

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

透過分子束磊晶系統在sapphire(0001)基板上成長鉍化碲拓樸絕緣體,並藉由X光繞射(XRD)看出鉍化碲具有強烈的C軸取向,由於樣品為易氧化材料,因此在?上硒/碲保護層上量測XRD與XPS,發現?上硒金屬後樣品原本的特性已經消失,進而產生較穩定的合金相。 樣品以ARPES量測證明薄膜確實為拓樸絕緣體,並且它的電子結構成長溫度調控。隨著溫度的上升至390oC,材料的費米能級從價帶往導帶靠近的趨勢,而過了390oC之後,其費米能級又往價帶靠近。之後我們以XAS實驗證明這費米能級的移動來自於反位缺陷的影響,在310oC至390oC為Bi-rich的情況,導致Bi原子取代Te原子,以至於材料以電洞傳輸為主,390oC之後則是Te-rich的情況,導致材料以電子傳輸為主。
Date of Award2014 Sep 5
Original languageChinese
SupervisorJung-Chun Huang (Supervisor)

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