絕緣高分子對聚(3-己基?吩)薄膜電晶體之電穩定性影響研究

Translated title of the thesis: Studies on the electrical stability of poly(3-hexylthiophene) based thin film transistors with insulating polymers
  • 蔡 旻辰

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文主要研究Regioregular Poly(3-hexylthiophene)(RR-P3HT)於氮氣環境與一般大氣下的電晶體穩定性。由於以聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate ，PMMA)為修飾層之有機高分子RR-P3HT薄膜電晶體，其電流-時間關係圖中之電流隨著時間增加而上升，其原因為PMMA與RR-P3HT之介面處會產生偶極效應(dipole effect)，偶極隨著閘極電壓增加而慢慢轉向，最後與電場平行，而扭轉過後的偶極可以強拉住載子使載子不被通道上的缺陷所影響，因此造成電流上升，本論文將探討元件之電流-時間關係圖與元件電特性之間的關係。 本實驗以重摻雜矽基板作為元件基板，並利用絕緣高分子PMMA做兩部分探討，首先，將PMMA作為有機薄膜體之修飾層，由於分子量越大的PMMA有可能影響原本載子的路徑，分子量越小也可能使元件有較差的特性，本部分將探討不同分子量之PMMA對於元件電特性的影響，第二部分，將主動層RR-P3HT混摻絕緣高分子PMMA，研究不同比例之PMMA對於RR-P3HT是否能發揮抵擋大氣中水氧之作用，或者是會形成障礙影響載子傳輸，本部分研究不同比例之RR-P3HT/PMMA摻合物對於元件穩定性的影響。在元件的應用部分，本文將RR-P3HT之表面孔洞結構蒸鍍上N型半導體PTCDI-C13，在元件輸出特性曲線上，可得到操作在雙極性範圍之二次電流曲線圖，在元件轉換曲線中，得到由雙載子進行累積與空乏動作的V型曲線，證明此元件具有雙載子傳輸的能力。
Date of Award2015 Aug 31
Original languageChinese
SupervisorHorng-Long Cheng (Supervisor)

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