本論文將聚乙烯?咯烷酮混摻不同小分子作為電子注入層應用於高分子發光二極體,搭配高?函數鋁作為陰極,製備出高效率的發光元件。 第一部分使用聚乙烯?咯烷酮(PVP)作為電子注入層可用來修飾陰極界面,降低電子注入能障,並透過混摻溴化四辛基銨(TOAB)讓該層能更均勻地覆?在發光層上,並藉由XRD分析,PVP有助於提升TAOB的結晶性,增加電洞阻擋能力,進一步地提升元件的發光效率,其效率遠超過鈣鋁元件。此外,PVP透過混摻苯乙醯胺(2PAD)也能夠增加元件的發光效率。 第二部分將PVP、TOAB、2PAD混合成三成份電子注入層應用於發光元件上,透過混合物實驗設計發現元件的電流密度和亮度之最大趨勢發生在三成份位置上擁有較多2PAD的混合比例,造成在適當的厚度下可讓電子的注入能障被大幅度降低。至於三成份電子注入層於較多TOAB的混合比例下,搭配PVP之良好的成膜特性讓三種材料都能夠在發光層上均勻地成膜,使得元件的發光效率有最大趨勢。
Date of Award | 2014 Jul 24 |
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Original language | Chinese |
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Supervisor | Ten-Chin Wen (Supervisor) |
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聚乙烯?咯烷酮混摻小分子作為電子注入層應用於高效率高分子發光二極體
晨宇, 吳. (Author). 2014 Jul 24
Student thesis: Master's Thesis