贗電容材料/還原氧化石墨烯奈米複合物之製備與特性

Abstract

本論文係有關部分硫化之鎳鈷合金/還原氧化石墨烯(Ni-Co-S/Ni-Co/rGO)與氧化錳/聚?咯/還原氧化石墨烯(MnOx/PPy/rGO)奈米複合物之製備與超級電容器性能的探討。首先以兩步合成法製備Ni-Co-S/Ni-Co/rGO奈米複合物，因鎳鈷合金的高導電性可幫助法拉第氧化還原反應中之電子的傳遞，而硫鈷鎳良好的贗電容特性則可提供較高的電容值，故擬藉由鎳鈷合金的部分硫化達到改善電容性能的目的。此外，還原氧化石墨烯的存在除了可幫助鎳鈷合金粒子的分散外，其本身亦具有電雙層電容之特性。結果顯示，將鎳鈷合金/還原氧化石墨烯部分硫化後確實可因硫鈷鎳良好的贗電容特性而提升其電容性能，但當硫化程度過高時，電容性能反而會因複合物導電性的下降而變差。其次，在過錳酸鉀、氧化石墨烯與酸催化劑的存在下，以室溫下反應1小時、180 oC下水熱反應30分鐘、及180 oC下微波輔助反應30分鐘等三種不同方式，使?咯氧化聚合並一步合成氧化錳/聚?咯/還原氧化石墨烯奈米複合物。結果顯示，相較於其它兩種合成方法，以微波輔助法所得之聚?咯/氧化錳/還原氧化石墨烯具有最佳之電容表現。此外，藉由真空過濾法可製得以聚?咯/氧化錳/還原氧化石墨烯為基底之薄膜，具有作為可撓式超級電容器電極材料之潛力。

Date of Award	2016 Aug 30
Original language	Chinese
Supervisor	Dong-Hwang Chen (Supervisor)