Abstract
本研究主要探討金屬－氧化物－金屬(M-I-M)結構之二極體元件，利用金屬及中低能隙氧化層材料之蕭特基界面(Schottky barrier)來產生雙向導通電流，此結構使用物理沉積製作，不需高溫製程且適用於三維記憶體之製程整合。本研究將進一步探討各種材料，如何提升導通及斷路狀態之電流比，低溫製程對元件品質的影響，及元件尺吋之縮小，且元件將在無塵室中製作以確保最佳品質。| Date of Award | 2016 Aug 12 |
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| Original language | Chinese |
| Supervisor | Darsen Lu (Supervisor) |