鋁漿半成品前處理分析之改善

Translated title of the thesis: Improving the Pre-treatment Analysis of Alumina slurry intermediate
  • 王 黎昇

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

摘要 化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing CMP)是為?解決表面?平整造成微影光源難以對焦的問題而導入積體電?製程,以平坦化晶圓表面;藉由化學反應及機械研磨來移除基材表面的薄膜,使晶圓表面粗糙度及平坦度到達一定的可容?範圍,?米技術的CMP 是目前最有效達到晶圓表面平坦化的方法。 CMP是在研磨機的研磨墊(Pad)上注入含微細拋光粉末之研磨漿?(Slurry) 進?化學機械式研磨拋光晶圓的動作,將積體電?晶圓(IC Wafer)上的介電層(oxide layer)與?屬層(metal layer)磨平,為化學腐蝕作用與研磨顆粒的機械式物理作用之複合方法,使其全面平坦化進而達到?體佈線或者多層佈線,提升佈線密?(pattern density),同時?低缺陷密?(defect density),提升製程??。 化學研磨液是配合化學機械研磨所研發出來的產品 是運用在CMP製程中不可或缺的耗材。它的使用量受半導體製程的影響,隨著多層佈線時配線數的增加使研磨的次數隨之增加,因此CMP研磨液的使用量有持續增加的趨勢,而且隨著半導體製程線寬越來越窄,對化學機械研磨製程技術要求也越來越高,CMP研磨液的研發也隨之演進。 氧化鋁研磨液的密度大 在溶液中易沉降而形成緻密性的沉澱餅 且沉澱餅的微粒間會形成不可逆的鍵結 使顆粒聚集不易分散 進而破壞研磨漿料的懸浮性。?米尺寸的?屬顆?溶入液體後,會受到布?運動的影響,使得固體顆?與液體分子連續發生?規?的相互撞擊,使奈米顆?能夠穩定地懸浮於液體中而???澱。運用物理攪拌、搖晃碰撞的方式,使其鋁漿漿料流體運動快速且保持相互干擾狀態,使鋁漿半成品的鋁漿顆粒能夠均勻的分佈在樣品瓶內,以提高重複量測保留樣品時的數據精確度,讓有效率的前處理方式來改善量測分析上的誤差。實驗結果顯示,本研究之超音波震盪與機械搖?方法能、有效地將鋁漿樣品品質維持在?5%的控制範圍內。 關鍵字: 化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing CMP)、化學 研磨液(ChemicalSlurry)、沉降、分散。
Date of Award2016 Feb 19
Original languageChinese
SupervisorJung-Hua Chou (Supervisor)

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