陽極氧化鋁模板輔助電化學沉積氧化鋅及銅/氧化亞銅奈米陣列之成長與光電化學性質

Translated title of the thesis: Fabrication and Photoelectrochemical Properties of ZnO and Cu/Cu2O Nanostructures with an Anodic Aluminum Oxide Template via Electrochemical Deposition
  • 陳 彥興

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本研究利用電化學沉積的方式結合陽極氧化鋁模板輔助,製備一維氧化鋅及銅/氧化亞銅奈米結構,研究其微結構、成長機制及光電化學性質。 第一部分,於草酸系統中,施與定電位80 V兩次陽極處理製備陽極氧化鋁模板,於7小時的二次陽極處理時間,得到孔徑120~150 nm, 膜厚150 μm,深寬比高達1000之陽極氧化鋁模板模板。並發現電子束蒸鍍於模板上的白金背電極,呈現火山口的形貌,為後續生成氧化鋅奈米管原因之一。 第二部分,以陽極氧化鋁模板輔助,以電化學方式沉積氧化鋅奈米陣列於模板孔洞中。鋅離子由硫酸鋅提供,雙氧水為輔助電解質。控制不同的硫酸鋅電解質濃度(0 1 M 0 5M),可分別得到氧化鋅奈米管與奈米線陣列。氧化鋅奈米管的生成因素為火山口形貌之白金背電極、鋅離子空乏區影響沿模壁較慢的異質成核成長速率與電解水產生的氫氣氣泡的阻礙。氧化鋅奈米線生成因素為較高的氧化鋅成核成長速率填滿模板孔洞。 第三部分,以陽極氧化鋁模板,電化學沉積銅/氧化亞銅複合奈米陣列於模板孔洞中。電解液中的銅離子由硫酸銅所提供,乳酸為輔助電解質,將電解液調配至pH = 10的鹼性環境下,於常溫下進行沉積。控制不同的沉積電流密度,可得到不同比例之銅/氧化亞銅複合奈米線,較高的沉積電流密度,奈米線中的銅含量增加,反之,較低的沉積電流密度,氧化亞銅的含量增加。 第四部分,量測氧化鋅及銅/氧化亞銅奈米線之光電化學性質,發現其均有能力分解水,但效率不佳,推測主要原因為多晶結構增加了電子電洞的再結合率。
Date of Award2014 Jul 25
Original languageChinese
SupervisorJow-Lay Huang (Supervisor)

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