黏晶機頂針對薄形晶片應力特性之分析

Abstract

　　鑑於記憶卡市場趨於輕薄及高容量發展趨勢，為了增加容量故需在有限 封裝空間增加堆疊層數，才能增加記憶卡容量，故須將晶片厚度薄化才能堆 疊更多晶片，而薄晶片強度很脆弱，容易在製程中造成破裂。本文利用有限 元素模擬軟體ANSYS?推測黏晶機頂針對薄形晶片應力之特性，以期作為 頂針排列之依據，以改善晶片破裂，提升良率。為驗証ANSYS模擬結果與 實驗結果相近，本文收集晶片強度測試實驗結果並透過ANSYS軟體模擬 Bending test，比對實驗數據與模擬數據以做為驗証之依據。 　　本文首先設計魚骨圖列出所有影響晶片破裂的原因進行單一因子分析求得對晶片應力之影響；針對頂針造成晶片破裂之各項因子如針中心點至晶片邊緣的距離、頂針上升高度、DAF黏度、頂針的圓角 等等進行分析模擬，以求得黏晶機頂針對薄形晶片應力特性，對於各項因子之模擬結果如下述： 1 　頂針中心點至晶片邊緣的距離，模擬結果顯示頂針與晶片邊緣距離長時 所呈現應力較大，距離短時呈現的應力較小。 2 　頂針高度，頂針越高則晶片承受的應力將增加，但在求解過程中最大應 力會在晶片與膠紙完全剝離時不再增加。 3 　DAF黏度，模擬結果顯示黏度與應力呈正比現象，黏度越高實際作業中　 　 將容易發生 Pick up miss與破裂。 4 　頂針中心點至頂針中心點之間的間距，模擬結果顯示各種間距對晶片的 應力差距甚微但可以得到針距越近則應力值較大。 5 　吸嘴真空值，吸嘴孔徑0 3mm與不?真空值模擬所得到應力值非常微小 將不會對晶片有任何應力影響。 6 　頂針圓角：模擬結果得知圓角越細對晶體產生的應力越大。 關鍵字：晶片封裝堆疊製程、延性破壞、有限元素法、DAF。

Date of Award	2015 Feb 17
Original language	Chinese
Supervisor	Jung-Hua Chou (Supervisor)