P-N型氮化鎵奈米元件之製作與移轉技術

  • 李 超

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

氮化鎵一維奈米結構型發光二極體具有高比表面積與低缺陷濃度之特性,其理論發光強度遠高於薄膜型發光二極體,在光電應用領域發展潛力巨大。本研究分為兩部分:第一部分以實驗室自行開發之爐管型電漿輔助化學氣相沉積設備,成長氮化鎵一維奈米結構型發光二極體;第二部分開發元件移轉技術,藉此解決奈米柱底部細小之缺點。 在第一部分研究中,於 n+Si(111)基板上,成長出垂直於基板表面之高品質未摻雜氮化鎵奈米柱。然後以氮化鎂作摻雜成長p型氮化鎵,之後以Cl2輔助成長AlGaN電子阻擋層,進而製作成GaN/AlGaN發光二極體元件。由元件之電流-電壓整流曲線,可證實P-N接面之存在。並且在定電流100mA注入時,觀察到有紫色之電致發光現象。同樣以矽摻雜氮化鎵製作之P-N GaN 發光二極體元件,在進行量測時,亦發現電流-電壓曲線具有整流特性,且在正向偏壓達到12伏特時,觀察到有紫色之電致發光現象,其發光亮度隨著電壓上升,由弱變強再變弱。 在第二部分研究中,於沉積有一層300nm SiO2 氧化層的p+Si(111)基板上,成長氮化鎵奈米柱。由於氮化鎵奈米柱底部細小,因而在注入高電流時易過熱而燒壞。故本團隊開發出元件移轉技術,將奈米柱從原有基板分離並轉貼至其他基板,最後製作成元件並進行電性量測。從電流-電壓曲線可以看出,元件移轉至其他基板後,其各界面之接觸良好。
Date of Award2016 Aug 3
LanguageChinese
SupervisorFranklin Chau-Nan Hong (Supervisor)

Cite this

P-N型氮化鎵奈米元件之製作與移轉技術
超, 李. (Author). 2016 Aug 3

Student thesis: Master's Thesis