PVK 緩衝層在n-ZnO/p-CuSCN 薄膜異質接面光檢測特性的影響之研究

Translated title of the thesis: Study of PVK buffer layer effects on the performance of n-ZnO/p-CuSCN thin film heterojunction photodetectors
  • 鄭 人駿

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文主要探討PVK 緩衝層對於氧化鋅/硫氰酸亞銅異質接面光檢 測表現之研究。製程主要採用低成本的方式，將硫氰酸亞銅薄膜電鍍在 ITO 玻璃基板上，接著在硫氰酸亞銅薄膜上旋轉塗佈PVK薄膜，使用不 鏽鋼金屬遮罩定義預鍍製氧化鋅晶種層之區域後，再利用化學水浴法合 成氧化鋅奈米柱陣列，最後濺鍍ITO 電極。本實驗透過X 光繞射儀 （XRD）、掃描式電子顯微鏡（SEM）、紫外光/可見光光譜儀，對製備的 薄膜進行晶體結構、表面形貌、薄膜界面進行分析。 接著，進一步量測及分析PVK 緩衝層對氧化鋅/硫氰酸亞銅異質接面二極體光電特性之影響。在紫外光波段照射下，氧化鋅/PVK/硫氰酸亞銅二極體和氧化鋅/硫氰酸亞銅光二極體在 -1 V偏壓下，光暗電流比分別為224 69 和4 96，紫外光-可見光拒斥比分別為140 98 和3 88，較 好之光電特性主要歸?於PVK緩衝層可明顯改善界面缺陷，導致較低的 漏電流。
Date of Award2016 Jul 21
Original languageChinese
SupervisorDung-Ching Perng (Supervisor)

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