氣相層析串聯質譜儀 (Gas Chromatography-Tandem Mass Spectrometry)

    𦹅如 陳 (Manager) & 晉翎 魏 (Operator)

設備/設施: Instrument Development Center

  • 地點

    Taiwan

設備詳細資料

Description

多功能自動注入系統
(1)主機大小:850(L)*503(D)*547(H)mm

(2)液體注入功能:

*樣品數量:2ml樣品瓶162個,10/20ml樣品瓶 60個

*液體注入體積: 0.12 µL ~1000 µL

*注射針型式:1, 5, 10, 25, 50, 100, 250, 1000ul

*注入重複次數:1-99

(3) 頂空注入功能:

*樣品數量:10/20ml 樣品瓶 60個

*頂空注入體積: 100 µL - 2500 µL

*注射針加熱溫度:至150度(每步驟為1度)

*震盪:六個加熱區塊(可使用10/20ml 樣品瓶) 加熱範圍至200度可每一度增加

(4) SPME注入功能

* 樣品數量:10/20ml樣品瓶 60 個

* 溫度條件:至350度

* 震盪:六個加熱區塊(可使用10/20ml 樣品瓶) 加熱範圍至200度可每一度增加

氣相層析部分
(1)烘箱溫度:

a)操作溫度介於4°C ~450°C

b)升溫速度可達100°C/min以上

(2)分流/非分流式注射口,最高溫度可達400°C以上,分流比例1~750

(3)氣體流量控制系統:

a)電子式可調整控制及設定載流氣體壓力,分離管流速,

線性速率及分流比例

b)壓力控制範圍:1- 680 kPa

c)流量控制範圍:0~ 1,200ml/min d)分流比例範圍:0~ 9,999.9 e)可設定7段流速程式

(4)可作快速分析與定流速分析

串聯式質譜檢測器
游離源:
a)電子撞擊式離子源(EI)。

1.離子化電能為可調式,範圍介於10~130 eV,發射電流1~300m μA之間或更廣範圍。

2.獨立的加熱控制裝置,高溫可達250 ℃以上。

3.GC界面溫度可達320 ℃以上。

4.EI SRM sensitivity: m/z 272 →222 S/N ≧ 20,000(RMS)

(Octafluoronaphthalene 100fg)

b)化學離子源(CI)。

1.在外部游離條件下,reagent gas的使用流量採數位式控制閥,以高壓產生化學游離。

2. PCI SRM Sensitivity: Benzophenone d10, m/z 193 → 110, reaction gas CH4, S/N ≧ 2200 or more

3. EI與CI切換裝置免卸除真空系統。

四極棒(Quardrupole)或外部游離式離子阱(Ion Trap)質量分析器:
a)偵測質量範圍可達 1000 amu以上,解析度:1 unit。

b)最大掃描速度為 2200 amu/sec以上。

c)提供Full scan、segmented scanning、SIM、串聯貭譜MS/MS掃描功能。

d)真空系統使用抽氣速度350 L/s或以上高速渦輪泵(Turbo Pump)。

e)短型碰撞室(short collision cell)設計,具有累積和瞬間噴射離子功能,產生離子脈衝消除雜訊並提高感度。

檢測系統:
a)非同軸的電子倍增管。

b)數位式電子雜訊識別。

c)具± 6 kV以上轉換電極加速正負離子轉換偵測。

d)具正離子與負離子化學游離同步分析

詳細資料

名字Gas Chromatography-Tandem Mass Spectrometry