霍爾效應分析儀

設備/設施: Instrument Development Center

  • 地點

    No. 1, University Road, Tainan, TAIWAN 701

    Taiwan

設備詳細資料

Description

測量半導體試片之電阻率、載子濃度、多數載子種類(P型/N型)與載子移動率

詳細資料

名字霍爾效應分析儀
擷取日期12-11-21

指紋 探索使用此設備的研究領域。這些標籤是根據相關成果而產生。共同形成了獨特的指紋。