低/可變真空掃描式電子顯微鏡

設備/設施: Instrument Development Center

  • 地點

    No. 1, University Road, Tainan, TAIWAN 701

    Taiwan

設備詳細資料

Description

主要規格:
解析度:SEI:2.5 nm(30 kV), 15 nm(1kV)
BEI:4.0 nm
倍率:×5 to ×100,000
加速電壓:0.5kV to 30kV
探測電流:10-12~10-6A
低真空可變真空度:1 to 270 Pa
樣品最大容許:直徑150 mm × 高度10 mm
及時影像顯示:2560 × 1820 pixels
試片移動範圍:X 軸:80 mm Y 軸:40 mm Z 軸:5 to 48mm
旋轉:360∘ 傾斜角度:-10 to +90∘

EDS:
廠牌/型號:OXFORD/INCA 350
解析度 ≤ 133 eV
晶體偵測器 Si (Li)
元素偵測範圍 B5 ~ U92

指紋 探索使用此設備的研究領域。這些標籤是根據相關成果而產生。共同形成了獨特的指紋。