Description
分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，蒸發的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上，以快門阻隔的方式，控制蒸發分子束，獲得超陡介面。
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詳細資料
| 名字 | 電漿輔助式分子束磊晶系統 |
|---|---|
| 擷取日期 | 05-05-26 |
指紋
molecular beam epitaxy
vacuum chambers
arsenic
layouts
travel
ultrahigh vacuum
crystals
gallium
indium
chambers
vapors