電漿輔助式分子束磊晶系統

    設備/設施: Center for Micro/Nano Science and Technology

    • 地點

      No.1, University Road, Tainan City 701, Taiwan (R.O.C.) 701

      Taiwan

    Description

    分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 是以真空蒸鍍的方式進行磊晶,蒸發的分子以極高的熱速率,直線前進到磊晶基板之上,以快門阻隔的方式,控制蒸發分子束,獲得超陡介面。

    詳細資料

    名字電漿輔助式分子束磊晶系統
    擷取日期05-05-26

    指紋

    molecular beam epitaxy
    vacuum chambers
    arsenic
    layouts
    travel
    ultrahigh vacuum
    crystals
    gallium
    indium
    chambers
    vapors