設備詳細資料
Description
材料分析
多功能高功率薄膜微區X光繞射儀(Bruker D8 Discover),使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極(rotating anode), 繞射儀可進行薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction),磊晶樣品的高解析度(High Resolution Diffraction)量測添加濃度及厚度,薄膜材料或金屬材料的殘留應力(Residual stress),以及方向性組織研究的極圖(Pole figure texture)測定,高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性,X光反射率(Reflectivity)量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度。
另外在偵測器的部份亦使用最新的半導體高解析度偵測器(Lynxeye-XET), 其最大的特色是具有很好的能量解析度(~380eV,一般閃爍計數器為1600eV),可藉由能窗的調整,以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況,同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式,對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。
多功能高功率薄膜微區X光繞射儀(Bruker D8 Discover),使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極(rotating anode), 繞射儀可進行薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction),磊晶樣品的高解析度(High Resolution Diffraction)量測添加濃度及厚度,薄膜材料或金屬材料的殘留應力(Residual stress),以及方向性組織研究的極圖(Pole figure texture)測定,高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性,X光反射率(Reflectivity)量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度。
另外在偵測器的部份亦使用最新的半導體高解析度偵測器(Lynxeye-XET), 其最大的特色是具有很好的能量解析度(~380eV,一般閃爍計數器為1600eV),可藉由能窗的調整,以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況,同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式,對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。

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指紋
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