反應式離子蝕刻機

    設備/設施: Center for Micro/Nano Science and Technology

    • 地點

      No.1, University Road, Tainan City 701, Taiwan (R.O.C.) 701

      Taiwan

    Description

    在半導體製程中,蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料,以達到產生所需圖案之技術。一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻,而乾式蝕刻(Dry Etching)又稱為電漿蝕刻(Plasma Etching)且屬於非等向性蝕刻,所以是目前最常使用的蝕刻方式。電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介,並藉由電漿能量來驅動反應。

    詳細資料

    名字反應式離子蝕刻機
    擷取日期13-12-30

    指紋

    etching
    ions
    plasma etching
    wafers
    anisotropy