尖端光電科技中心

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Organisation profile

尖端光電科技中心(Advanced Optoelectronic Technology Center, AOTC)為國立成功大學所屬研究中心之一,於民國九十五年正式設立,成立的宗旨在於整合南台灣光電科技研究資源,提昇國內尖端光電技術研發水準,以達成學術卓越並厚植國內光電科技研發實力。 具體任務: 結合成功大學與南部產官學之相關光電科技研究資源,致力於光電科技之研發。 積極推動研發成果之應用,及其技術移轉。 整合南部大專院校光電科技人才與設備資源,作為光電產業綜合研究所之南部整合平台。 辦理光電科技人才之培訓與講習班。 進行其他與光電科技相關之研發及推廣等工作。 研究領域: 包含固態照明領域、高效率發光二極體、有機發光元件、光通訊領域以及前瞻光子晶體與量子元件之開發。 研究設備: 包含四部MOCVD、HVPE、ALD、MBE,以及完善的半導體材料特性量測設備,此外,本中心亦具備完整之光電元件製程與量測能力。

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High electron mobility transistors Engineering & Materials Science
Spray pyrolysis Engineering & Materials Science
Ultrasonics Engineering & Materials Science
Metals Chemical Compounds
Electric breakdown Engineering & Materials Science
Gate dielectrics Engineering & Materials Science
Passivation Engineering & Materials Science
high electron mobility transistors Physics & Astronomy

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研究成果 1981 2019

An RRAM with a 2D material embedded double switching layer for neuromorphic computing

Chen, P. A., Ge, R. J., Lee, J. W., Hsu, C. H., Hsu, W-C., Akinwande, D. & Chiang, M-H., 2019 一月 8, 2018 IEEE 13th Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8605915. (2018 IEEE 13th Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2018).

研究成果: Conference contribution

random access memory
oxygen ions
plastic properties
Plasticity
Ions

Enhancement-Mode Tri-Gate Nanowire InAlN/GaN MOSHEMT for Power Applications

Huang, Y. P., Hsu, W-C., Liu, H. Y. & Lee, C. S., 2019 六月 1, 於 : IEEE Electron Device Letters. 40, 6, p. 929-932 4 p., 8693634.

研究成果: Article

Spray pyrolysis
Gate dielectrics
Drain current
Electric breakdown
Threshold voltage

Improved ultraviolet detection and device performance of Al2O3-Dielectric In0.17Al0.83N/AlN/GaN MOS-HFETs

Lee, C. S., Yao, X. C., Huang, Y. P. & Hsu, W-C., 2019 一月 1, 於 : IEEE Journal of the Electron Devices Society. 7, p. 430-434 5 p., 8671702.

研究成果: Article

Semiconductors
High electron mobility transistors
Oxides
Metals
Electric breakdown