光電科學與工程學系

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2024
Compact and broadband silicon polarization splitter–rotator using adiabaticity engineering
Hung, Y., Chen, C. H., Chung, H. C., Lai, J. Z. & Tseng, S. Y., 2024 4月 1, 於: Optics Letters. 49, 7, p. 1852-1855 4 p.
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2020
Investigation of Ga₂ O₃-based deep ultraviolet photodetectors using plasma-enhanced atomic layer deposition system
Chu, S. Y., Shen, M. X., Yeh, T. H., Chen, C. H., Lee, C. T. & Lee, H. Y., 2020 11月 1, 於: Sensors (Switzerland). 20, 21, p. 1-10 10 p., 6159.
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開啟存取
17 引文斯高帕斯（Scopus）
Volatile gas sensing through terahertz pipe waveguide
Lu, J. Y., You, B., Wang, J. Y., Jhuo, S. S., Hung, T. Y. & Yu, C. P., 2020 11月 1, 於: Sensors. 20, 21, p. 1-14 14 p., 6268.
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開啟存取
7 引文斯高帕斯（Scopus）
2019
Achromatic metalens array for full-colour light-field imaging
Lin, R. J., Su, V. C., Wang, S., Chen, M. K., Chung, T. L., Chen, Y. H., Kuo, H. Y., Chen, J. W., Chen, J., Huang, Y. T., Wang, J. H., Chu, C. H., Wu, P. C., Li, T., Wang, Z., Zhu, S. & Tsai, D. P., 2019 3月 1, 於: Nature Nanotechnology. 14, 3, p. 227-231 5 p.
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490 引文斯高帕斯（Scopus）
2003
GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts
Chang, S. J., Lee, M. L., Sheu, J. K., Lai, W. C., Su, Y. K., Chang, C. S., Kao, C. J., Chi, G. C. & Tsai, J. M., 2003 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 4, p. 212-214 3 p.
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94 引文斯高帕斯（Scopus）
Improved ESD protection by combining InGaN-GaN MQW LEDs with GaN Schottky diodes
Chang, S. J., Chen, C. H., Su, Y. K., Sheu, J. K., Lai, W. C., Tsai, J. M., Liu, C. H. & Chen, S. C., 2003 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 3, p. 129-131 3 p.
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67 引文斯高帕斯（Scopus）
Improvement of InGaN/GaN laser diodes by using a Si-doped In_0.23Ga_0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer
Tu, R. C., Tun, C. J., Sheu, J. K., Kuo, W. H., Wang, T. C., Tsai, C. E., Hsu, J. T., Chi, J. & Chi, G. C., 2003 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 4, p. 206-208 3 p.
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18 引文斯高帕斯（Scopus）
Metal-semiconductor-metal photodetectors with in AlGaP capping and buffer layers
Lee, C. T. & Lee, H. Y., 2003 9月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 9, p. 532-534 3 p.
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3 引文斯高帕斯（Scopus）
2002
InGaN/GaN light emitting diodes activated in O₂ ambient
Kuo, C. H., Chang, S. J., Su, Y. K., Chen, J. F., Wu, L. W., Sheu, J. K., Chen, C. H. & Chi, G. C., 2002 5月, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 5, p. 240-242 3 p.
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55 引文斯高帕斯（Scopus）

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