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2015
Enhanced light emission in vertical-structured GaN-based light-emitting diodes with trench etching and arrayed p-electrodes
Lin, T. H., Wang, S. J., Tu, Y. C., Hung, C. H., Lin, C. A., Lin, Y. C. & You, Z. S., 2015 5月, 於: Solid-State Electronics. 107, p. 30-34 5 p.
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8 引文斯高帕斯（Scopus）
2012
Efficiency improvements in single-heterojunction organic photovoltaic cells by insertion of wide-bandgap electron-blocking layers
Ho, C. S., Lee, C. S., Hsu, W. C., Lin, C. Y., Lai, Y. N. & Wang, C. W., 2012 10月, 於: Solid-State Electronics. 76, p. 101-103 3 p.
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6 引文斯高帕斯（Scopus）
2009
Impact of an indium oxide/indium-tin oxide mixed structure for GaN-based light-emitting diodes
Liu, Y. J., Yen, C. H., Hsu, C. H., Yu, K. H., Chen, L. Y., Tsai, T. H. & Liu, W. C., 2009 12月 1, 於: Optical Review. 16, 6, p. 575-577 3 p.
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9 引文斯高帕斯（Scopus）
2008
Physical parameters extraction from current-voltage characteristic for diodes using multiple nonlinear regression analysis
Liu, C. C., Chen, C. Y., Weng, C. Y., Wang, C. C., Jenq, F. L., Cheng, P. J., Wang, Y. H. & Houng, M. P., 2008 6月, 於: Solid-State Electronics. 52, 6, p. 839-843 5 p.
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29 引文斯高帕斯（Scopus）
2004
A new InP-InGaAs HBT with a superlattice-collector structure
Chen, J. Y., Guo, D. F., Cheng, S. Y., Lee, K. M., Chen, C. Y., Chuang, H. M., Fu, S. Y. & Liu, W. C., 2004 5月, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 5, p. 244-246 3 p.
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10 引文斯高帕斯（Scopus）
2003
A novel InP/InGaAs TEBT for ultralow current operations
Chen, C. Y., Cheng, S. Y., Chiou, W. H., Chuang, H. M. & Liu, W. C., 2003 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 3, p. 126-128 3 p.
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8 引文斯高帕斯（Scopus）
GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts
Chang, S. J., Lee, M. L., Sheu, J. K., Lai, W. C., Su, Y. K., Chang, C. S., Kao, C. J., Chi, G. C. & Tsai, J. M., 2003 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 4, p. 212-214 3 p.
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94 引文斯高帕斯（Scopus）
Improved ESD protection by combining InGaN-GaN MQW LEDs with GaN Schottky diodes
Chang, S. J., Chen, C. H., Su, Y. K., Sheu, J. K., Lai, W. C., Tsai, J. M., Liu, C. H. & Chen, S. C., 2003 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 3, p. 129-131 3 p.
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67 引文斯高帕斯（Scopus）
Proton-exchanged wet etching of recessed-structure SAW filter
Tsai, S. H., Wang, N. F., Houng, M. P. & Wang, Y. H., 2003 9月, 於: IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 50, 9, p. 1219-1222 4 p.
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1 引文斯高帕斯（Scopus）
P-type enhancement-mode SiGe doped-channel field-effect transistor
Lin, Y. M., Wu, S. L., Chang, S. J., Koh, S. & Shiraki, Y., 2003 12月 1, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 42, 12 A, p. L1422-L1424
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2 引文斯高帕斯（Scopus）
2002
A novel triple δ-doped GeSi heterostructure field-effect transistor
Lee, C. H., Wu, S. L., Chang, S. J., Miura, A., Koh, S. & Shiraki, Y., 2002 11月 1, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 41, 11 A, p. L1212-L1214
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1 引文斯高帕斯（Scopus）
A planarized shallow-trench-isolation for GaAs devices fabrication using liquid phase chemical enhanced oxidation process
Wu, J. Y., Wang, H. H., Sze, P. W., Wang, Y. H. & Houng, M. P., 2002 5月, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 5, p. 237-239 3 p.
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10 引文斯高帕斯（Scopus）
InGaN/GaN light emitting diodes activated in O₂ ambient
Kuo, C. H., Chang, S. J., Su, Y. K., Chen, J. F., Wu, L. W., Sheu, J. K., Chen, C. H. & Chi, G. C., 2002 5月, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 5, p. 240-242 3 p.
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55 引文斯高帕斯（Scopus）

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