每年專案
個人檔案
學歷
- 2011 美國加州大學博克萊分校電機資訊工程博士
研究專長
- 負電容場效電晶體之元件模型
- 鮨式場效電晶體及 UTBSOI 電晶體之元件模型
- 人工智慧 / 深度學習之硬體實現
- 金屬-氧化物-金屬元件製程實作與電阻式記憶體應用
- 半導體製程及元件物理之數值模擬 (TCAD)
經歷
- 2008年7月~2008年9月 美國 IBM Fishkill 實習工程師
- 2010年1月~2010年5月 美國 IBM 華生實驗室實習研究員
- 2011年8月~2015年8月 美國 IBM 華生實驗室研究員
- 2015年8月~迄今 國立成功大學電機系微電子所助理教授
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- 1 類似的個人檔案
網路
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專案
- 5 已完成
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Alleviation of charge trapping and flicker noise in HfZrO2-Based Ferroelectric Capacitors by Thermal Engineering
De, S., Bu, W. X., Qiu, B. H., Su, C. J., Lee, Y. J. & Lu, D. D., 2021 四月 19, VLSI-TSA 2021 - 2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 9440091. (VLSI-TSA 2021 - 2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, Proceedings).研究成果: Conference contribution
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Analytical Modelling of Ferroelectricity Instigated Enhanced Electrostatic Control in Short-Channel FinFETs
Ciou, J. Y., De, S., Wang, C. W., Lin, W., Lee, Y. J. & Lu, D., 2021 四月 8, 2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 9420931. (2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021).研究成果: Conference contribution
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A Novel Three-Dimensional 6T-SRAM Cell Featuring Vertical Transistors and 24F2Layout Area
Lu, D. D. & Chen, I. H., 2021 九月 24, 2021 7th International Conference on Applied System Innovation, ICASI 2021. Chang, S-J., Young, S-J., Kin-Tak Lam, A. D., Ji, L-W. & Prior, S. D. (編輯). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 88-90 3 p. (2021 7th International Conference on Applied System Innovation, ICASI 2021).研究成果: Conference contribution
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Robust Binary Neural Network Operation from 233 K to 398 K via Gate Stack and Bias Optimization of Ferroelectric FinFET Synapses
De, S., Le, H. H., Qiu, B. H., Baig, M. A., Sung, P. J., Su, C. J., Lee, Y. J. & Lu, D. D., 2021 八月, 於: IEEE Electron Device Letters. 42, 8, p. 1144-1147 4 p., 9455832.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Uniform Crystal Formation and Electrical Variability Reduction in Hafnium-Oxide-Based Ferroelectric Memory by Thermal Engineering
De, S., Qiu, B. H., Bu, W. X., Baig, M. A., Sung, P. J., Su, C. J., Lee, Y. J. & Lu, D. D., 2021 二月 23, 於: ACS Applied Electronic Materials. 3, 2, p. 619-628 10 p.研究成果: Article › 同行評審
5 引文 斯高帕斯（Scopus）