每年專案
個人檔案
學歷
- 2011 美國加州大學博克萊分校電機資訊工程博士
研究專長
- 負電容場效電晶體之元件模型
- 鮨式場效電晶體及 UTBSOI 電晶體之元件模型
- 人工智慧 / 深度學習之硬體實現
- 金屬-氧化物-金屬元件製程實作與電阻式記憶體應用
- 半導體製程及元件物理之數值模擬 (TCAD)
經歷
- 2008年7月~2008年9月 美國 IBM Fishkill 實習工程師
- 2010年1月~2010年5月 美國 IBM 華生實驗室實習研究員
- 2011年8月~2015年8月 美國 IBM 華生實驗室研究員
- 2015年8月~迄今 國立成功大學電機系微電子所助理教授
指紋
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- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 9 已完成
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3-D Monolithic Stacking of Complementary-FET on CMOS for Next Generation Compute-In-Memory SRAM
Baig, M. A., Yeh, C. J., Chang, S. W., Qiu, B. H., Huang, X. S., Tsai, C. H., Chang, Y. M., Sung, P. J., Su, C. J., Cho, T. C., De, S., Lu, D., Lee, Y. J., Lee, W. H., Wu, W. F. & Yeh, W. K., 2023, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 11, p. 107-113 7 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Bilayered Oxide Heterostructure-Mediated Capacitance-Based Neuroplasticity Modulation for Neuromorphic Classification
Lin, P. E., Chen, K. T., Chaurasiya, R., Le, H. H., Cheng, C. H., Lu, D. D. & Chen, J. S., 2023 12月 22, 於: Advanced Functional Materials. 33, 52, 2307961.研究成果: Article › 同行評審
6 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Computing-in-Memory with Ferroelectric Materials and Beyond
Lu, D. D., 2023, 2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA/VLSI-DAT 2023 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA/VLSI-DAT 2023 - Proceedings).研究成果: Conference contribution
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First Demonstration of Defect Elimination for Cryogenic Ge FinFET CMOS Inverter Showing Steep Subthreshold Slope by Using Ge-on-Insulator Structure
Yu, X. R., Hsieh, C. C., Chuang, M. H., Chiu, M. Y., Sun, T. C., Geng, W. Z., Chang, W. H., Shih, Y. J., Lu, W. H., Chang, W. C., Lin, Y. C., Pai, Y. C., Lai, C. Y., Chuang, M. H., Dei, Y., Yang, C. Y., Lu, H. Y., Lin, N. C., Wu, C. T., Kao, K. H., 及其他9, 2023, 2023 International Electron Devices Meeting, IEDM 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM).研究成果: Conference contribution
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HfTaOx Rectifying Layer for HfO x-Based RRAM for High-Accuracy Neuromorphic Computing Applications
Chang, T. J., Le, H. H., Li, C. Y., Chu, S. Y. & Lu, D. D., 2023 5月 23, 於: ACS Applied Electronic Materials. 5, 5, p. 2566-2573 8 p.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus）