每年專案
個人檔案
學歷
- 1998 美國加州大學柏克萊分校電機博士
研究專長
- 半導體元件
- 半導體物理
- 元件可靠度
經歷
- 1999~1999 台灣積體電路製造公司主任工程師
- 1999~2003 國立成功大學電機系助理教授
- 2003~2008 國立成功大學電機系副教授
- 2008~ 迄今 國立成功大學電機系教授
- 2011~2014 國立成功大學微電子所所長
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Investigating the Photodetectors and pH Sensors of Two-Dimensional MoS2with Different Substrates
Chang, S. P., Chen, T. H., Liou, G. Y., Huang, W. L., Lai, W. C., Chang, S. J. & Chen, J. F., 2021, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10, 5, 055015.研究成果: Article › 同行評審
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Simulation-Based Study of High-Permittivity Inserted-Oxide FinFET with Low-Permittivity Inner Spacers
Wu, Y. T., Chiang, M. H., Chen, J. F. & Liu, T. J. K., 2021 11月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 68, 11, p. 5529-5534 6 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Simulation-based study of high-density SRAM voltage scaling enabled by inserted-oxide FinFET technology
Wu, Y. T., Ding, F., Connelly, D., Chiang, M. H., Chen, J. F. & Liu, T. J. K., 2019 4月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 66, 4, p. 1754-1759 6 p., 8661752.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Characteristics and reliability of metal-oxide-semiconductor transistors with various depths of plasma-induced Si recess structure
Chen, J. F., Tsai, Y. L., Chen, C. Y., Hsu, H. T., Kao, C. Y. & Hwang, H. P., 2018 4月, 於: Japanese journal of applied physics. 57, 4, 04FD01.研究成果: Article › 同行評審
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High-density SRAM voltage scaling enabled by inserted-oxide FinFET technology
Wu, Y. T., Chiang, M. H., Chen, J. F., Ding, F., Connelly, D. & Liu, T. J. K., 2018 3月 7, 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference, S3S 2017. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-3 3 p. (2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference, S3S 2017; 卷 2018-March).研究成果: Conference contribution
2 引文 斯高帕斯（Scopus）