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陳 志方

Professor

  • 2318 引文
  • 25 h-指數
19952019

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個人檔案

學歷

  • 1998 美國加州大學柏克萊分校電機博士

研究專長

  • 半導體元件
  • 半導體物理
  • 元件可靠度

經歷

  • 1999~1999 台灣積體電路製造公司主任工程師
  • 1999~2003 國立成功大學電機系助理教授
  • 2003~2008 國立成功大學電機系副教授
  • 2008~ 迄今 國立成功大學電機系教授
  • 2011~2014 國立成功大學微電子所所長

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  • 10 類似的個人檔案

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專案

高電壓矽金氧半電晶體其性能與可靠度改善之研究

Chen, J.

17-08-01 → 18-07-31

研究計畫: Research project

氧化層間隙壁過蝕刻對矽金氧半電晶體其電性與可靠度影響之研究

Chen, J.

16-08-01 → 17-07-31

研究計畫: Research project

高電壓矽金氧半電晶體其性能與可靠度之研究

Chen, J.

15-08-01 → 16-07-31

研究計畫: Research project

高電壓金氧半電晶體可靠度之研究

Chen, J.

14-08-01 → 15-07-31

研究計畫: Research project

氮化鎵高電子移動率電晶體之改善其崩潰電壓與可靠度之研究(I)

Chen, J.

13-08-01 → 14-07-31

研究計畫: Research project

研究成果

Simulation-based study of high-density SRAM voltage scaling enabled by inserted-oxide FinFET technology

Wu, Y. T., Ding, F., Connelly, D., Chiang, M. H., Chen, J. F. & Liu, T. J. K., 2019 四月, 於 : IEEE Transactions on Electron Devices. 66, 4, p. 1754-1759 6 p., 8661752.

研究成果: Article

    • Characteristics and reliability of metal-oxide-semiconductor transistors with various depths of plasma-induced Si recess structure

    Chen, J-F., Tsai, Y. L., Chen, C. Y., Hsu, H. T., Kao, C. Y. & Hwang, H. P., 2018 四月 1, 於 : Japanese Journal of Applied Physics. 57, 4, 04FD01.

    研究成果: Article

    • High-density SRAM voltage scaling enabled by inserted-oxide FinFET technology

    Wu, Y. T., Chiang, M. H., Chen, J. F., Ding, F., Connelly, D. & Liu, T. J. K., 2018 三月 7, 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference, S3S 2017. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-3 3 p. (2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference, S3S 2017; 卷 2018-March).

    研究成果: Conference contribution

    • 2 引文 斯高帕斯（Scopus）

    Investigation of characteristics and hot-carrier reliability of high-voltage MOS transistors with various doping concentrations in the drift region

    Tsai, Y. L., Chen, J. F., Shen, S. F., Hsu, H. T., Kao, C. Y., Chang, K. F. & Hwang, H. P., 2018 十一月 13, 於 : Semiconductor Science and Technology. 33, 12, 125019.

    研究成果: Article

    • Simulation-Based Study of Hybrid Fin/Planar LDMOS Design for FinFET-Based System-on-Chip Technology

    Wu, Y. T., Ding, F., Connelly, D., Zheng, P., Chiang, M. H., Chen, J. F. & Liu, T. J. K., 2017 十月, 於 : IEEE Transactions on Electron Devices. 64, 10, p. 4193-4199 7 p., 8010312.

    研究成果: Article

    • 12 引文 斯高帕斯（Scopus）

    論文

    Analysis on Hot Carrier Reliability for High Voltage MOS Device with Different Processes

    作者: 俊諺, 陳., 2017 七月 3

    監督員: Chen, J. (Supervisor)

    學生論文: Master's Thesis

    Analysis on Reliability for FinFET with Different Processes

    作者: 佑軒, 李., 2018 七月 5

    監督員: Chen, J. (Supervisor)

    學生論文: Master's Thesis

    Bifacial Sensing Sides SnO2 MEMS Gas Sensor

    作者: 梃嘉, 翁., 2017 七月 5

    監督員: Chen, J. (Supervisor)

    學生論文: Master's Thesis

    Breakdown Voltage and Reliability Studies of Devices in NAND Flash Memory Periphery Circuitry

    作者: 鈞博, 張., 2014 七月 16

    監督員: Chen, J. (Supervisor)

    學生論文: Master's Thesis

    Effect of Gradual Junction on Performance and Reliability of High Voltage MOS Transistors

    作者: 登仁, 艾., 2015 七月 1

    監督員: Chen, J. (Supervisor)

    學生論文: Master's Thesis