Kang-Lung Wang

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2014
Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons
Poljak, M., Wang, K. L. & Suligoj, T., 2014, p. 37-40. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2 引文斯高帕斯（Scopus）
2006
A nano-scale module with full spin-wave interconnectivity for integrated circuits
Eshaghian-Wilner, M. M., Khitun, A., Navab, S. & Wang, K. L., 2006, p. 320-323. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
9 引文斯高帕斯（Scopus）
2005
Controlled doping in ultra-thin metal oxide films by radical-enhanced Ald
Van, T. T., Ostroumov, R., Wang, K., Bargar, J. & Chang, J. P., 2005, p. 5158. 1 p.
研究成果: Paper › 同行評審
MOSFET tunneling spectroscopy at low temperature
Bao, M., Liu, F., Baron, F., Wang, K. L. & Li, R., 2005, p. 147-164. 18 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2004
A novel approach to evaluate the carrier effective mass in GeSi quantum dot structure
Yang, Z., Shi, Y., Liu, J. L., Yan, B., Zhang, R., Zheng, Y. D. & Wang, K. L., 2004, p. 913-915. 3 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Extended defect states in Ge quantum dots grown by RTCVD
Park, C. J., Cho, K. H., Kwon, Y. H., Kang, T. W., Cho, H. Y. & Wang, K. L., 2004, p. 305-308. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Heterogeneous integration of nano devices on Si CMOS platform
Wang, K. L., Liu, F. & Ostroumov, R., 2004, p. 228-233. 6 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Photoresponse and dark current study of Ge qdips for mid-infrared wavelength
Tong, S., Lee, J. Y., Liu, F., Kim, H. J. & Wang, K. L., 2004, p. 1043-1051. 9 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2002
Minimization of sidewall roughness in Si pillar-like structures by photolithography optimization
Suligoj, T., Wang, K. L. & Biljanović, P., 2002, p. 458-462. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
2001
50 nm vertical surround gate MOSFET with S-factor of 75mV/dec
Li, R., Zhang, Y., Lu, Y., Daniel Sung Choi, S. C., Luo, M. & Wang, K. L., 2001, p. 63-64. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
4 引文斯高帕斯（Scopus）
A novel five-channel NMOSFET using selective epitaxial growth (SEG) and lateral solid phase epitaxy (LSPE)
Liu, H., Kumar, M., Sin, J. K. O., Jun, W. & Wang, K. L., 2001, p. 77-78. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Characterization of cross-plane thermoelectric properties of Si/Ge superlattices
Yang, B., Liu, J., Wang, K. & Chen, G., 2001, p. 344-347. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
9 引文斯高帕斯（Scopus）
In-plane thermoelectric properties of Si/Ge superlattice
Liu, W. L., Borca-Tasciuc, T., Liu, J. L., Taka, K., Wang, K. L., Dresselhaus, M. S. & Chen, G., 2001, p. 340-343. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
13 引文斯高帕斯（Scopus）
MEMS thermoelectric microcooler
Yao, D. J., Kim, C. J., Chen, G., Liu, J. L., Wang, K. L., Snyder, J. & Fleurial, J. P., 2001, p. 401-404. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
14 引文斯高帕斯（Scopus）
Microelectronics roadmap: From ultimate CMOS to quantum information systems
Wang, K. L., 2001, p. 1. 1 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Sub-40nm V-groove MOSFETs
Appenzeller, J., Martel, R., Avouris, P., Knoch, J., Lu, Y., Wang, K. L., Scholvin, J., Del Alamo, J. A., Rice, P. & Solomon, P., 2001, p. 95-96. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
Thermoelectric property characterization of low-dimensional structures
Chen, G., Yang, B., Liu, W. L., Borca-Tasciuc, T., Song, D., Achimov, D., Dresselhaus, M. S., Liu, J. L. & Wang, K., 2001, p. 30-34. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審
12 引文斯高帕斯（Scopus）
2000
Noise spectroscopy of traps in GaN devices
Balandin, A. & Wang, K. L., 2000, p. 501-506. 6 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2 引文斯高帕斯（Scopus）
1999
Anomalously large blueshift of donor-acceptor pair transition peak in GaAs/AlGaAs coupled quantum wells with low residual impurity densities
Mu, X., Ding, Y. J., Yang, D., Khurgin, J. B., Alt, K. W. & Wang, K. L., 1999, p. 125-126. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1998
Heat conduction in alloy-based superlattices
Chen, G., Zhou, S. Q., Yao, D. Y., Kim, C. J., Zheng, X. Y., Liu, Z. L., Wang, K. L., Sun, X. & Dresselhaus, M. S., 1998, p. 202-205. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
33 引文斯高帕斯（Scopus）
Scenarios of CMOS scaling
Wang, K. L. & Lynch, W. T., 1998, p. 12-16. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審

10 引文斯高帕斯（Scopus）
Theoretical modeling of the thermoelectric figure of merit in Si/Si_1-xGe_x quantum well structures
Sun, X., Chen, G., Wang, K. L. & Dresselhaus, M. S., 1998, p. 47-50. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2 引文斯高帕斯（Scopus）
Vertical MOSFET with a leveling, surrounding gate fabricated on a nanoscale island
Zheng, X., Pak, M., Huang, J., Choi, S. & Wang, K. L., 1998, p. 70-71. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
11 引文斯高帕斯（Scopus）
1997
Low dimensional thermoelectrics
Dresselhaus, M. S., Koga, T., Sun, X., Cronin, S. B., Wang, K. L. & Chen, G., 1997, p. 12-20. 9 p.
研究成果: Paper › 同行評審
53 引文斯高帕斯（Scopus）
Novel Si bistable diode
Zhu, X., Zheng, X., Pak, M., Tanner, M. O. & Wang, K. L., 1997, p. 88-89. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Thermal conductivity measurement and microscopy of thin film structures
Borca-Tasciuc, T., Chen, G., Wang, D. & Wang, K. L., 1997, p. 726-729. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
5 引文斯高帕斯（Scopus）
1996
Large blue shift due to band filling at interface islands in coupled quantum wells
Cui, A. G., Gorbounova, O., Ding, Y. J., Veliadis, J. V. D., Lee, S. J., Khurgin, J. B. & Wang, K. L., 1996, p. 19-20. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1994
High hole mobility transistor (HHMT) with dual Si/Ge_0.4Si_0.6/Si wells structure grown by Si MBE
Wang, S. J., Wu, S. L., Chung, H. D., Chang, W. & Wang, K. L., 1994.
研究成果: Paper › 同行評審
Interdisciplinary characterization of sandwiched SiGe thin layers grown by molecular beam epitaxy
Feng, Z. C., Arbet-Engels, V., Karunasiri, R. P. G., Wang, K. L., Watt, F., Lee, K. K., Wee, A. T. S., Hng, H. H. & Williams, K. P. J., 1994.
研究成果: Paper › 同行評審
1989
Properties and devices of SiGe heterostructures and superlattices
Wang, K. L. & Karunasiri, R. P. G., 1989, p. 129-140. 12 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1983

NOVEL MEASUREMENTS OF ELECTRIC FIELD ENHANCED CARRIER EMISSION OF DEFECTS IN SILICON.
Guan, Z. F., Li, G. P., Wang, K. L. & Chang, F., 1983, p. 491-498. 8 p.
研究成果: Paper › 同行評審

1 引文斯高帕斯（Scopus）
1975
AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY OF A STABLE GERMANIUM OXIDE.
Wang, K. L., 1975, p. 927-932. 6 p.
研究成果: Paper › 同行評審
6 引文斯高帕斯（Scopus）

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