• 2569 引文
  • 26 h-指數
1980 …2020

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研究成果

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Paper
2004

InGaP/InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor pseudomorphic high electron mobility transistor with a liquid phase oxidized InGaP gate

Lee, K. W., Lin, Y. J., Yang, N. Y., Lee, Y. C., Sze, P. W., Wang, Y-H. & Houng, M., 2004 十二月 1, p. 2301-2304. 4 p.

研究成果: Paper

3 引文 斯高帕斯(Scopus)
2000

Depletion-mode GaAs MOSFET with a low temperature selective grown oxide gate

Wu, J. Y., Wang, H. H., Sze, P. W., Wang, Y. H. & Houng, M. P., 2000 十二月 1, p. 149-154. 6 p.

研究成果: Paper

1998

Analytic model for asymmetric trapezoidal-gate MOSFET

Kao, C. H., Cho, S. K., Wei, C. T., Wong, S. C., Houng, M. & Wang, Y-H., 1998 十二月 1, p. 420-423. 4 p.

研究成果: Paper

1 引文 斯高帕斯(Scopus)
1994
1 引文 斯高帕斯(Scopus)
1981

GROWTH AND PROPERTIES OF GaP/Si DEVICE BY MOCVD.

Su, Y. K., Chang, C. Y., Wu, T. S., Lee, M. K., Houng, M. & Chen, L. G., 1981 十二月 1, p. 387-392. 6 p.

研究成果: Paper