每年研究成果
每年研究成果
- 6結果
搜尋結果
-
2003
GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts
Chang, S. J., Lee, M. L., Sheu, J. K., Lai, W. C., Su, Y. K., Chang, C. S., Kao, C. J., Chi, G. C. & Tsai, J. M., 2003 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 4, p. 212-214 3 p.研究成果: Letter › 同行評審
95 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Improved ESD protection by combining InGaN-GaN MQW LEDs with GaN Schottky diodes
Chang, S. J., Chen, C. H., Su, Y. K., Sheu, J. K., Lai, W. C., Tsai, J. M., Liu, C. H. & Chen, S. C., 2003 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 3, p. 129-131 3 p.研究成果: Letter › 同行評審
67 引文 斯高帕斯（Scopus） -
InGaN/GaN light-emitting diodes with ITO p-contact layers prepared by RF sputtering
Chang, C. S., Chang, S-J., Su, Y. K., Lin, Y-C., Hsu, Y. P., Shei, S. C., Chen, S. C., Liu, C. H. & Liaw, U. H., 2003 4月, 於: Semiconductor Science and Technology. 18, 4, p. L21-L23研究成果: Letter › 同行評審
42 引文 斯高帕斯（Scopus） -
P-type enhancement-mode SiGe doped-channel field-effect transistor
Lin, Y. M., Wu, S. L., Chang, S. J., Koh, S. & Shiraki, Y., 2003 12月 1, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 42, 12 A, p. L1422-L1424研究成果: Letter › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
2002
A novel triple δ-doped GeSi heterostructure field-effect transistor
Lee, C. H., Wu, S. L., Chang, S. J., Miura, A., Koh, S. & Shiraki, Y., 2002 11月 1, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 41, 11 A, p. L1212-L1214研究成果: Letter › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
InGaN/GaN light emitting diodes activated in O2 ambient
Kuo, C. H., Chang, S. J., Su, Y. K., Chen, J. F., Wu, L. W., Sheu, J. K., Chen, C. H. & Chi, G. C., 2002 5月, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 5, p. 240-242 3 p.研究成果: Letter › 同行評審
55 引文 斯高帕斯（Scopus）