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1984 …2020

每年研究成果

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研究成果

篩選
Patent
2012

ROUGHENING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ROUGHENED SURFACE

貢獻的翻譯標題: 粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法Wang, S-J., 2012 八月 23, 專利號 8551869

研究成果: Patent

1800

DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

貢獻的翻譯標題: 二極體結構與其製造方法Wang, S-J., 1800, 專利號 I358839

研究成果: Patent

Light-emitting Diode Having Surface-Textured Structure And Method For Manufacturing The Same

貢獻的翻譯標題: 具表面粗化結構之發光二極體及其製備方法Wang, S-J., 1800, 專利號 I469388

研究成果: Patent

Method for manufacturing nanowires with micro- structure

貢獻的翻譯標題: 尖端具有微結構之奈米線之製作方法Wang, S-J., 1800, 專利號 I448418

研究成果: Patent

Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same

貢獻的翻譯標題: 奈米線之製造方法及使用其製作之場發射元件Wang, S-J., 1800, 專利號 I431662

研究成果: Patent

Mold and Method for Epitaxial Growth

貢獻的翻譯標題: 磊晶模具及磊晶方法Wang, S-J., 1800, 專利號 I602220

研究成果: Patent

Roughening method and method for manufacturing light emitting diode having roughened surface

貢獻的翻譯標題: 粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法Wang, S-J., 1800, 專利號 I422068

研究成果: Patent

自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法

Wang, S-J., 1800, 專利號 I253386

研究成果: Patent

垂直式發光二極體之製造方法

Wang, S-J., 1800, 專利號 I395353

研究成果: Patent

氧化鎢奈米線之製造方法

Wang, S-J., 1800, 專利號 I257380

研究成果: Patent

異質接面奈米線結構及其製造方法

Wang, S-J., 1800, 專利號 I385118

研究成果: Patent

應用於場效發射電特性之量測裝置

Wang, S-J., 1800, 專利號 I301200

研究成果: Patent