黃 尊禧

研究成果

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每年研究成果

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• 1996

  High gain p-n-p gated lateral bipolar action in a fully depleted counter-type channel p-MOSFET structure

  Ho, J. S., Huang, T. H. & Chen, M. J., 1996 2月, 於: Solid-State Electronics. 39, 2, p. 261-267 7 p.

  研究成果: Review article › 同行評審

  • Current Gain 100%
  • high gain 60%
  • counters 49%
  • field effect transistors 44%
  • Simulation 35%
  3 引文 斯高帕斯（Scopus）