以氮化鎵電晶體技術研發CMOS、氣體感測器及電阻式記憶體

本計畫致力於III-V高功率元件研發，且試圖改善電晶體結構，達到更多面向的應用。除此之外，還著手於GaN CMOS的整合、研發與H2S、H2氣體感測器，並進一步製做MIM結構閘極，與RRAM系統進行整合。在CMOS方面利用GaN先天材料的優勢，研發出切換速度更快的數位訊號元件。而在氣體感測器方面，設計多種閘極結構，企圖研發出敏感度更高的感測器元件。至於整合RRAM部分，透過調節漏電流，使設備可以在使用大功率應用的同時進行數據儲存的動作，讓元件應用具有更多面向。