以液相沉積氧化層為基礎之砷化鎵微波元件的晶片鍵合技術之研究(II)-子計畫一:利用LPD選擇性沉積薄層氧化層以製作砷化鎵MOSFET之研究

  • Houng, Mau-phon (PI)

研究計畫: Research project

專案詳細資料

狀態已完成
有效的開始/結束日期01-08-01 → 02-07-31