以非真空化學氣相沉積新型寬能隙氧化鎵鋅薄膜與其光電元件之開發

本計畫致力於利用非真空的薄膜沉積技術研究超寬能隙金屬氧化物半導體-氧化鎵鋅，並應用於太陽盲光檢測器。在社會上，可藉由此計畫培育出具有光電半導體材料與光電半導體元件專長之碩士與博士人才。在經濟上，本計畫中所研究之材料將會為太陽盲光檢測技術之發展帶來極大的幫助，若能以專利保護或技轉，有助於相關產業發展。在學術上，本計畫富有學術價值，若是成功克服氧化鎵鋅之組成穩定性控制問題以及不同光檢測器架構之整理，將能持續提供後續研究的學者做為基礎與參考，並成為後續研究的靈感。