兼具長短程記憶特性之電阻式記憶體陣列應用於記憶體內運算之研製

本研究計畫開發具長短程記憶功能的電阻式記憶體，結合研究團隊已開發的六方氮化硼電阻式記憶體技術，藉此二維材料形成的阻擋層來達到阻擋氧離子的目的，以展現短程記憶功能，同時進一步整合內嵌式選擇器達成無選擇器(selectorless)電阻式記憶體技術。本計畫進一步探討如何提升此元件在非馮鈕曼架構中(non-von Neumann architecture)，實現記憶體內運算(in-memory computing)操作方式之效能與功耗，預期能完成次世代高密度和高選擇比的selectorless RRAM，期盼此研究計畫的成果為半導體產業和記憶體市場注入新的力量。