原子級硒化銦/氮化硼異質薄膜與先進製程、檢測技術之研發與推廣( I )

InSe，被2010諾貝爾物理獎得主Andre Geim譽為處於矽和石墨烯之間的理想半導體材料，InSe具有天然二維層狀的形態，電性各項表現相當亮眼。本計畫由本中心技術團隊提出，將整合本中心的研發能量與資源，以原子級磊晶系統（Atomic Layer Deposition, ALD）為主要製程，輔助多種新穎晶體材料開發，並結合先進電子顯微鏡與非線性光學檢測儀器進行磊晶材料分析。結合研究團隊之化學氣相沉積系統（Chemical Vapor Deposition, CVD）與分子束磊晶系統（Molecular Beam Epitaxy, MBE）等製程系統與技術，成長如InSe、h-BN、異質結構，搭配已建置之先進電鏡與非線性光學等檢驗設備，開發新穎檢測方式與技術，強化奈米級磊晶膜層，進行材料特性分析。 另外，在研究成長機制的過程中所得到的2D材料，如InSe、InS、h-BN…，將提供給國內、外其他學術、研究單位之研究。我們希望師法2010年諾貝爾物理獎得主A. K. Geim與K. Novoselov教授，當年他們成功在2004年撕出石墨烯後，隨即將大量樣品寄給全世界各地的研究學者們，進行石墨烯的性質檢測與應用，其目的係從單一個實驗室的點研究，短時間迅速擴展到多領域的面研究。本計畫將服務提供國內(尤以南部為主)、國外大專院校相關的InSe、InS或h-BN相關的二維材料樣品。