改善高電壓金氧半電晶體其崩潰電壓與可靠度之研究

本計畫將研究在元件之漂移區製作漸進式接面、改變漂移區長度、改變閘極長度等變因，對高電壓金氧半電晶體其性能與可靠度之影響。在學術上會研究影響元件性能與可靠度之物理機制，在應用上會提出改善元件性能與可靠度之方法。預期計畫之成果對於學術研究、協助半導體產業發展、人才培育等三個面向，都有具體之影響性與貢獻。