次世代氧化鎵新穎材料磊晶及元件製程之研究-氧化鎵新穎材料磊晶製程開發與特性研究(總計畫及子計畫一)

隨著科技的發展，對大功率與高頻元件的需求日益增長，其中碳化矽與氮化鎵為近幾年熱門的材料。在氧化物材料中，氧化鎵具有更高的能隙(約4.8 eV)、高的臨界擊穿電場(理論約8 MV/cm)更能應用在高功率電力電子及感應器件上，但目前生長技術有一定難度, 國內的相關研究多集中探討n型氧化鎵薄膜生長與元件製作，而p型氧化鎵磊晶合成仍在理論階段，因此我們希望利用MOCVD磊晶成長氧化鎵單晶的技術，並對各項基礎元件及理論進行探討相信有機會應用在工業界。