氧化鋅鎵系列光電與感測元件之製程開發及特性研究

ZnGa2O4在寬能隙半導體中具有良好的化學與熱穩定性，薄膜能隙值約5 eV，材料本身不易受雜訊干擾及具有良好的氣體辨識能力，因此非常適合應用在深紫外光感測器、氣體感測器與薄膜電晶體。本計畫將著重優化ZnGa2O4的品質以及探討材料物理特性，並設計多種結構的深紫外光感測器、MEMS結構的氣體感測器與薄膜電晶體。現今物聯網的普及以及人工智慧的發展，將會使用到大量的感測器元件，未來幾年預期全球市場感測器市場將繼續保持增長。我們必須積極投入在新型光感測器與氣體感測器關鍵技術的開發，以利在世界上取得此產業領先之地位。