三維形狀微奈米結構

Yung-Chun Lee (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻,且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率,第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率,第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30,而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完,而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。
原文???core.languages.zh_TW???
專利號I498963
出版狀態Published - 1800

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