光吸收元件及其製備方法

研究成果: Patent

摘要

一種光吸收元件及其製備方法,其製備方法包含:將一不鏽鋼基材升溫至一氧化溫度,其中該氧化溫度係介於850℃至1050℃之間,但該氧化溫度不包含1020℃至1040℃,藉此使該不鏽鋼基材表面生成一氧化鐵層,再以自然冷卻將溫度降至室溫以形成該光吸收元件。藉此,以簡化製程簡易及製備成本。
原文Chinese
專利號I593804
出版狀態Published - 1800

引用此文

Cheng, C-H. (1800). 光吸收元件及其製備方法. (專利號 I593804).
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author = "Chin-Hsiang Cheng",
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光吸收元件及其製備方法. / Cheng, Chin-Hsiang (Inventor).

專利號: I593804.

研究成果: Patent

TY - PAT

T1 - 光吸收元件及其製備方法

AU - Cheng, Chin-Hsiang

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種光吸收元件及其製備方法,其製備方法包含:將一不鏽鋼基材升溫至一氧化溫度,其中該氧化溫度係介於850℃至1050℃之間,但該氧化溫度不包含1020℃至1040℃,藉此使該不鏽鋼基材表面生成一氧化鐵層,再以自然冷卻將溫度降至室溫以形成該光吸收元件。藉此,以簡化製程簡易及製備成本。

AB - 一種光吸收元件及其製備方法,其製備方法包含:將一不鏽鋼基材升溫至一氧化溫度,其中該氧化溫度係介於850℃至1050℃之間,但該氧化溫度不包含1020℃至1040℃,藉此使該不鏽鋼基材表面生成一氧化鐵層,再以自然冷卻將溫度降至室溫以形成該光吸收元件。藉此,以簡化製程簡易及製備成本。

M3 - Patent

M1 - I593804

ER -

Cheng C-H, 發明者. 光吸收元件及其製備方法. I593804. 1800.