全電控自旋場效電晶體

Tse-Ming Chen (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

自旋,一種特殊的量子性質,原本在量子力學裡用來解釋量子的第四維度性質,直到近來相關的研究與應用越趨熱門。相較於傳統電性原件,自旋相關原件在理論上具有更高速的運算以及更低耗能,這也是廣泛被研究的原因。若以實際應用以上概念為終極目標,則需整合自旋電流的產生、操控和偵測等方法,並且以全電性的控制減少或取代磁性物質、磁場的應用以達最高效率。如今,我們以Rashba 自旋軌道偶合效應為基底,應用於低維度通道的自旋傳輸,即在異質結構物上以閘極偏壓形成一維量子線通道,並且進一步的利用閘極偏壓極化以及操控電子自旋。此類自旋場效電晶體並不侷限於任何材料,指需自旋軌道耦合效應高的材料即可。
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專利號I546971
出版狀態Published - 2015 十二月 16

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