摘要
本發明係關於一種具有奈米柱陣列之發光二極體及其製造方法。該方法之步驟係包含：(a)提供一基板；(b)於前述基板上披覆一晶核層；(c)於前述晶核層上披覆一n型半導體層；(d)於前述n型半導體層上披覆一量子井層；(e)於前述量子井層上披覆一p型半導體層；(f)對該n型半導體層、量子井層及p型半導體層進行乾式蝕刻，使該晶核層上形成一表面含有非晶質層及/或損壞層之奈米柱陣列
| 原文 | ???core.languages.zh_TW??? |
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| 專利號 | I392116 |
| 出版狀態 | Published - 1800 |