具有雙層通道結構之擬晶性高電子移動率電晶體

一種具有雙層通道(Double Channel)結構之擬晶性高電子移動率電晶體(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor；PHEMT)，其係利用雙層由例如磷化銦鎵(InGaP)/砷化銦鎵(InGaAs)/砷化鎵(GaAs)所構成之堆疊結構作為電晶體之通道結構。因此，可利用較厚且銦含量較高之砷化銦鎵層作為通道層，以達到提高電晶體之效能的目的。