利用濕式蝕刻轉移奈米壓印圖案的方法

Franklin Chau-Nan Hong (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種利用濕式蝕刻轉移奈米壓印圖案的方法,包含以下步驟:製備基板及氧化層、設置阻劑層、在阻劑層上壓印圖案、第一次蝕刻,以及第二次蝕刻。其中,該第一次蝕刻是將基板浸泡在蝕刻溶液中,亦即進行濕式蝕刻,利用蝕刻溶液對氧化層及阻劑層的蝕刻速度不同,使氧化層形成圖案,接著再進行第二次蝕刻,圖案即形成於基板上。該濕式蝕刻快速且均勻,並可同時將多片基板浸泡在蝕刻溶液中一起進行蝕刻,故兼具有蝕刻時間短、步驟簡單、不需複雜昂貴的儀器設備、降低製作成本等優點。
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專利號I292187
出版狀態Published - 1800

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