利用過氧化氫對氮化物異質接面場效電晶體表面氧化處理之方法及其結構

Wei-Chou Hsu (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種利用過氧化氫對氮化物異質接面場效電晶體表面氧化處理之方法及其結構,係以過氧化氫對氮化鋁鎵進行氧化反應,於氮化鋁鎵之表面生成氧化鋁,以此氧化鋁在異質接面場效電晶體可應用在鈍化層或金氧半異質接面場效電晶體之介電層。藉由這種簡易、快速與低成本之氧化反應可以有效提升氮化物異質接面場效電晶體之直流特性與微波特性。藉此,透過將半導體材料浸入過氧化氫之氧化方式係能應用在鈍化技術與閘極介電層製作技術,除了可以有效改善氮化物異質接面場效電晶體之特性之外,也簡化了製程上之繁雜度,進而使氮化物異質接面場效電晶體在微波與高功率之應用上更加廣泛。
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專利號I438897
出版狀態Published - 1800

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