多孔隙介電質的孔隙性質測量器及多孔隙介電質的孔隙性質測量方法

Dung-Ching Perng (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

一種多孔隙介電質的孔隙性質測量器及其測量方法,所述測量器包含:一基層、間隔披覆在該基層上的一源極層與一汲極層、一設在源極層與汲極層上方並具有數個孔隙的多孔隙介電質層,及一披覆在多孔隙介電質層表面的閘極層。而本發明多孔隙介電質的孔隙性質測量方法,是配合本發明測量器與一參考電晶體來進行,該測量方法為:分別測量參考電晶體與測量器的電性特性
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專利號I429003
出版狀態Published - 1800

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